3450Mo/s max en lecture / 3200Mo/s max en écriture
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3450Mo/s max en lecture / 3200Mo/s max en écriture
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
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Capacité | 1000 Go |
Interface | PCIe 3.1 x4 (NVMe) |
Caractéristiques | Prise en charge TRIM, Wear Leveling Support, Ultra-efficient Block Management, NVM Express (NVMe) 1.4, InnoGrit IG5216, S.M.A.R.T. |
Poids | 10 g |
Largeur | 22 mm |
Profondeur | 80 mm |
Hauteur | 2.25 mm |
Type de mémoire flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) |
Format | M.2 2280 |
Performances | |
Débit de transfert interne | 3450 Mo/s (lecture) / 3200 Mo/s (écriture) |
Lecture aléatoire 4 Ko | 290000 IOPS |
Ecriture aléatoire 4 Ko | 280000 IOPS |
Endurance SSD | 512 TB |
Expansion et connectivité | |
Interfaces | 1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - M.2 Card |
Baie compatible | M.2 2280 |
Alimentation | |
Consommation électrique | 2871 mW (lecture) 1056 mW (inactif) 3802 mW (écriture) |
Divers | |
Normes de conformité | FCC, RoHS, UKCA |
Caractéristiques d’environnement | |
Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95 % (sans condensation) |
Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ onde semi-sinusoidale 0,5 ms |
Tolérance aux vibrations (au repos) | 20 g @ 10-2000 Hz |
Température de stockage maxi | 85 °C |
Température de stockage mini | -40 °C |
Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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